کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364252 | 1388313 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current patterning of 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) surface by AFM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The Atomic Force Microscope (AFM) with the conducting cantilever has been used as a tool for controlled printing the well-defined shapes of conductive paths on the 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) surface as well as paths connecting the shapes. For clean 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) samples the metal-tip/sample contact is of the diode type. The conditions have been found (tip/sample voltage, current) for which the local morphology of the surface is modified during current flow between the tip and the sample. Such a modified surface shows quite a different conduction type of the tip/sample surface contact than that of the unmodified surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 14, 15 May 2008, Pages 4332-4335
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 14, 15 May 2008, Pages 4332-4335
نویسندگان
P. Mazur, M. Grodzicki, S. Zuber, A. Ciszewski,