کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364283 | 1388314 | 2007 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On interface properties of ultra-thin and very-thin oxide/a-Si:H structures prepared by oxygen based plasmas and chemical oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Passivation of surface and interface states by liquid cyanide treatment is additional original technique applied after (or before) formation of almost all formed thin film/a-Si:H structures. Passivation process should be used if high-quality electronical parameters of devices can be reached.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 16, 15 June 2007, Pages 6697-6715
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 16, 15 June 2007, Pages 6697-6715
نویسندگان
Emil PinÄÃk, Hikaru Kobayashi, Rudolf Hajossy, Helena Glesková, Masao Takahashi, Matej Jergel, Róbert Brunner, Luc Ortega, Michal KuÄera, Martin Kráľ, Jaroslav Rusnák,