کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364357 | 1388315 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement in semiconductor laser printing using a sacrificial protecting layer for organic thin-film transistors fabrication
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improvement in semiconductor laser printing using a sacrificial protecting layer for organic thin-film transistors fabrication Improvement in semiconductor laser printing using a sacrificial protecting layer for organic thin-film transistors fabrication](/preview/png/5364357.png)
چکیده انگلیسی
ⶠDS4T semiconductor cannot be laser printed without DRL. ⶠGold DRL contaminate the semiconductor surface. ⶠWell-resolved pixels of DS4T have been transferred with triazene polymer DRL.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 12, 1 April 2011, Pages 5245-5249
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 12, 1 April 2011, Pages 5245-5249
نویسندگان
Ludovic Rapp, Christophe Cibert, Sébastien Nénon, Anne Patricia Alloncle, Matthias Nagel, Thomas Lippert, Christine Videlot-Ackermann, Frédéric Fages, Philippe Delaporte,