کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364742 | 1388319 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultrafast-laser-assisted chemical restructuring of silicon and germanium surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ultrafast-laser-assisted chemical restructuring of silicon and germanium surfaces Ultrafast-laser-assisted chemical restructuring of silicon and germanium surfaces](/preview/png/5364742.png)
چکیده انگلیسی
This article reports a comparative study on texturing in silicon and germanium surfaces after exposure to femtosecond laser irradiation in the gaseous environments of sulfur hexafluoride (SF6) and hydrogen chloride (HCl). The surface texturing results from the combined effect of laser-assisted chemical etching and laser ablation. Optimized processing conditions have produced features on the order of nanometers in size. We demonstrate for the first time that regular conical pillars can be formed in Ge and that HCl can be used to form regular conical pillars in Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 15, 30 May 2007, Pages 6580-6583
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 15, 30 May 2007, Pages 6580-6583
نویسندگان
Barada K. Nayak, Mool C. Gupta, Kurt W. Kolasinski,