کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364763 | 1388320 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependent carrier induced ferromagnetism in Zn(Fe)O and Zn(FeAl)O thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxial films of ZnO doped with magnetic ion Fe and, in some cases, with 1% Al show clear evidence of room temperature ferromagnetic ordering but containing huge amount of paramagnetic moment in it. The total ferromagnetic and paramagnetic contributions have been extracted from the low temperature SQUID measurements. A clear correlation between the magnetization per transition metal ion and the ratio of the number of carriers and number of donors have been found in these films and established the theory of carrier induced ferromagnetism. The experimental data has been best explained through the modification of electronic structure of oxide semiconductors with impurity states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 2, 1 November 2010, Pages 381-387
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 2, 1 November 2010, Pages 381-387
نویسندگان
S. Chattopadhyay, T.K. Nath, A.J. Behan, J.R. Neal, D. Score, Q. Feng, A.M. Fox, G.A. Gehring,