کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364791 | 1388320 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-performance copper alloy films for barrierless metallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we observe useful properties of V1.1- and V0.8N0.4-bearing copper (Cu) films deposited on barrierless silicon (Si) substrates by a cosputtering process. The Cu98.8(V0.8N0.4), or Cu(VNx) for brevity, films exhibit low resistivity (2.9 μΩ cm) and minimal leakage current after annealing at temperatures up to 700 °C for 1 h; no detectable reaction occurs at the Cu/Si interface. These observations confirm the high thermal stability of Cu(VNx) films. Furthermore, since these films have good adhesion features, they can be used for barrierless Cu metallization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 2, 1 November 2010, Pages 553-557
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 2, 1 November 2010, Pages 553-557
نویسندگان
C.H. Lin, W.K. Leau, C.H. Wu,