کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5364905 | 1388322 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of thin zirconium oxide films on the 6H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The growth of thin zirconium oxides film on 6H-SiC(0 0 0 1) surface has been presented. ⺠Zirconium dioxide is one of the high-κ dielectric materials. ⺠The experiment was carried out using the methods: XPS, LEED, STM. ⺠The growth of ZrO2 films proceeded almost in layer-by-layer mode with some irregular islands.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 21, 15 August 2012, Pages 8349-8353
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 21, 15 August 2012, Pages 8349-8353
نویسندگان
K. Idczak, P. Mazur, L. Markowski, M. SkiÅcim, M. MusiaÅ,