کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5365495 | 1388331 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of high-pressure hydrogen treatment on structural and electrical properties of ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ZnO thin films were treated by high-pressure hydrogen (H2). Scanning electron microscope (SEM) images show that the surface morphology of ZnO films has been changed significantly by H2 treatment. X-ray diffraction patterns show that the Zn(OH)2 phases formed after H2 treatment. The X-ray photoelectron spectroscopy results indicate that H atoms were doped into the surface of ZnO by forming H-O-Zn bond. The phenomenon shows that it is easy to form O-H bond in ZnO rather than H interstitial atom under high-pressure hydrogen circumstance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 22, 1 September 2010, Pages 6770-6774
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 22, 1 September 2010, Pages 6770-6774
نویسندگان
Chunye Li, Hongwei Liang, Jianze Zhao, Qiuju Feng, Jiming Bian, Yang liu, Rensheng Shen, Wangcheng Li, Guoguang Wu, G.T. Du,