کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5365757 | 1388337 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray topography of polydiacetylene single crystals prepared by using physical vapor growth technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The lattice defects in polydiacetylene (PDA) single crystals prepared using physical vapor growth were investigated by white beam X-ray topography. Line patterns along the [0Â 0Â 1] and [1Â 0Â 2] directions were clearly observed. Appearance of the line patterns along the [0Â 0Â 1] direction proves the polymerization direction predicted by Hädicke et al. The topographic results are in good agreement with the surface morphologies investigated by atomic force microscopy (AFM).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 20, 15 August 2006, Pages 7383-7388
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 20, 15 August 2006, Pages 7383-7388
نویسندگان
Sadaharu Jo, Hitoshi Yoshikawa, Akane Fujii, Mitsuru Takenaga,