کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5365835 | 1388339 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modification of anode surface in organic light-emitting diodes by chalcogenes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Influence of thin chalcogen X (S, Se, Te) interlayer between anode (indium-tin oxide, ITO) and a layer of N,Nâ²-bis(3-methylphenyl)-N,Nâ²-diphenylbenzidine (TPD) used as a hole-transport layer (HTL) on the operating characteristics of organic light-emitting diodes (OLEDs) of composition ITO/X/TPD/Alq3/Yb (Alq3 - aluminum 8-quinolinolate) has been investigated. It was found that the sulphur layer decreases operating voltage and enhances operating stability of a device while the selenium or tellurium interlayers impair these characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 8, 15 February 2008, Pages 2216-2219
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 8, 15 February 2008, Pages 2216-2219
نویسندگان
Marina A. Katkova, Vasilii A. Ilichev, Alexey N. Konev, Maxim A. Batenkin, Irina I. Pestova, Alexey G. Vitukhnovsky, Mikhail N. Bochkarev,