کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5365848 | 1388339 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device](/preview/png/5365848.png)
چکیده انگلیسی
Au doped Sb3Te phase-change films have been investigated by means of in situ temperature-dependent resistance measurement. Crystallization temperature of 2 at.% Au doped Sb3Te has been enhanced to 161 °C, which leads to a better data retention. The physical stability of the film has been improved evidently after adding Au as well. Resistance contrast has been improved to 1.1 Ã 104, one order of magnitude higher than that of pure Sb3Te. X-ray diffraction patterns indicate the polycrystalline Au-SbTe series have hexagonal structure, similar with pure Sb3Te alloy, when Au doping dose is less than 9 at.%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 8, 15 February 2008, Pages 2281-2284
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 8, 15 February 2008, Pages 2281-2284
نویسندگان
Feng Wang, Ting Zhang, Chun-liang Liu, Zhi-tang Song, Liang-cai Wu, Bo Liu, Song-lin Feng, Bomy Chen,