کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5365924 | 1388340 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠GST CMP mechanism at pH 2 and pH 11. ⺠GST has four zero charge points, larger solubility at pH 11. ⺠Alkaline slurry shows faster RR, higher selectivity but lower RR/SER ratio. ⺠GST CMP includes oxidation, hydration, molecule removal, electrochemical process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 12, 1 April 2012, Pages 5185-5190
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 12, 1 April 2012, Pages 5185-5190
نویسندگان
Liangyong Wang, Zhitang Song, Min Zhong, Weili Liu, Weixia Yan, Fei Qin, Aodong He, Bo Liu,