کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5365924 1388340 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing
چکیده انگلیسی
► GST CMP mechanism at pH 2 and pH 11. ► GST has four zero charge points, larger solubility at pH 11. ► Alkaline slurry shows faster RR, higher selectivity but lower RR/SER ratio. ► GST CMP includes oxidation, hydration, molecule removal, electrochemical process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 12, 1 April 2012, Pages 5185-5190
نویسندگان
, , , , , , , ,