کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366227 | 1388345 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of buffer layer on VOx film fabrication by reactive RF sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of buffer layer on VOx film fabrication by reactive RF sputtering Effect of buffer layer on VOx film fabrication by reactive RF sputtering](/preview/png/5366227.png)
چکیده انگلیسی
Vanadium oxide VOx films were fabricated by RF magnetron sputtering on various metal buffer layers or silica glass substrates at a substrate temperature of 400 °C. V2O5 film was fabricated on a silica glass substrate, and VO2 films were fabricated on V, W, Fe, Ni, Ti, and Pt metal buffer layers. The transition temperature of the sample on the V buffer layer was 68 °C and that on the W buffer layer was 53 °C. The VO2 film was also fabricated on the V buffer layer by non-reactive sputtering using a V2O5 target at a substrate temperature of 400 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 23, 30 September 2006, Pages 8367-8370
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 23, 30 September 2006, Pages 8367-8370
نویسندگان
H. Miyazaki, I. Yasui,