کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366285 | 1388347 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light emission from silicon nanocrystals: Probing a single quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Analysis of low-temperature photoluminescence measurements performed on single silicon nanocrystals is presented. The luminescence emission linewidth of Si nanocrystals is found to be less than thermal broadening at low temperature, confirming the atomic-like nature of their energetic states. Beside the main peak the low-temperature spectra reveal a â¼6Â meV replica, the origin of which is discussed. For some of the investigated dots, we also observe a â¼60Â meV transverse optical (TO) phonon replica. The regular arrangement of individual nanocrystals used in this work enables combined high-resolution transmission electron microscopy (TEM) and low-temperature photoluminescence characterization of the same single quantum dot.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5249-5253
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5249-5253
نویسندگان
I. Sychugov, R. Juhasz, J. Valenta, M. Zhang, P. Pirouz, J. Linnros,