کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366293 | 1388347 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic structure of the carbon induced Si(0 0 1)-c(4 Ã 4) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic structure of the carbon induced Si(0 0 1)-c(4 Ã 4) surface Atomic structure of the carbon induced Si(0 0 1)-c(4 Ã 4) surface](/preview/png/5366293.png)
چکیده انگلیسی
The atomic and electronic structures of the Si(0Â 0Â 1)-c(4Â ÃÂ 4) surface have been studied by scanning tunneling microscopy (STM) and density functional theory (DFT). To explain the experimental bias dependent STM observations, a modified mixed ad-dimer reconstruction model is introduced. The model involves three tilted Si dimers and a carbon atom incorporated into the third subsurface layer per c(4Â ÃÂ 4) unit cell. The calculated STM images show a close resemblance to the experimental ones.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5284-5287
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5284-5287
نویسندگان
Jiangping He, G.V. Hansson, R.I.G. Uhrberg,