کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366302 | 1388347 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependent low energy electron microscopy study of Ge growth on Si(1 1 3)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the initial Ge nucleation and Ge island growth on a Si(1 1 3) surface using low energy electron microscopy and low energy electron diffraction. The sample temperature was varied systematically between 380 °C and 590 °C. In this range, a strong temperature dependence of the island shape is observed. With increasing temperature the Ge islands are elongated in the [332¯] direction. Simultaneously, the average island size increases while their density decreases. From the Arrhenius-like behaviour of the island density, a Ge adatom diffusion barrier height of about 0.53 eV is deduced.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5321-5325
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5321-5325
نویسندگان
T. Clausen, Th. Schmidt, J.I. Flege, A. Locatelli, T.O. Mentes, S. Heun, F.Z. Guo, J. Falta,