کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366333 | 1388347 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of copper phthalocyanine on hydrogen passivated vicinal silicon(1 1 1) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM), we show that copper-phthalocyanine (CuPc) grows in a well ordered manner on hydrogen passivated vicinal silicon surfaces. CuPc grows one-dimensionally parallel to the monatomic steps on the vicinal silicon surface. Surprisingly, elongated clusters of the CuPc parallel to the step directions are formed even on the middle of the terraces well away from the step edges. The one-dimensional growth mode continues even after the full monolayer coverage on the substrate which results in strongly oriented growth mode of a thin film of CuPc on the vicinal silicon surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5449-5452
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 15, 30 May 2006, Pages 5449-5452
نویسندگان
Yu Suzuki, Michael Hietschold, Dietrich R.T. Zahn,