کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366460 | 1388350 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Conductivity modification of ZnO film by low energy Fe10+ ion implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The structural, optical and electrical behaviours have been studied for 300 keV Fe10+ ion implanted ZnO films with fluence in the range 3 Ã 1015-1 Ã 1017. ⺠Implanted ZnO film (at â¤200 K) shows p-type behaviour. ⺠Its magnetoresistance is positive in the temperature range 200-300 K, but it becomes negative below 200 K. ⺠In visible-infrared region the transmittance of the unimplanted sample is â¼90%, whereas that for implanted samples is in the range 82-89%. ⺠The photoluminescence spectrum are significantly intense for the implanted samples with fluence 1 Ã 1017 and 1 Ã 1016/cm3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 7, 15 January 2012, Pages 2237-2245
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 7, 15 January 2012, Pages 2237-2245
نویسندگان
Ashutosh Kumar, J.B.M. Krishna, Dipankar Das, Sunita Keshri,