کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367321 | 1388364 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transparent conducting Sn-doped Ga1.4In0.6O3 films prepared on α-Al2O3 (0 0 0 1) by MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Sn-doped Ga1.4In0.6O3 films have been prepared on α-Al2O3 (0 0 0 1) substrates by the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method. The Sn-doping was varied from 0% to 7% (atomic ratio). Polycrystalline films with resistivity of 4.9 Ã 10â3Ω cm, carrier concentration of 5.9 Ã 1019 cmâ3 and Hall mobility of 21.4 cm2 vâ1 sâ1 was obtained at 5 at.% of Sn concentration. The average transmittance for the Sn-doped Ga1.4In0.6O3 films in the visible range was over 90%. The bandgap of the films varies from 3.85 to 4.21 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 11, 15 March 2009, Pages 6024-6027
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 11, 15 March 2009, Pages 6024-6027
نویسندگان
Fan Yang, Jin Ma, Caina Luan, Lingyi Kong,