کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367614 | 1388369 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Radio frequency magnetron sputtering/post-carbonized-reaction technique was adopted to prepare good-quality GaN films on Al2O3(0Â 0Â 0Â 1) substrates. The sputtered Ga2O3 film doped with carbon was used as the precursor for GaN growth. X-ray diffraction (XRD) pattern reveals that the film consists of hexagonal wurtzite GaN. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) shows that no oxygen can be detected. Electrical and room-temperature photoluminescence measurements show that good-quality polycrystalline GaN films were successfully grown on Al2O3(0Â 0Â 0Â 1) substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 6, 15 January 2006, Pages 2153-2158
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 6, 15 January 2006, Pages 2153-2158
نویسندگان
C.G. Zhang, W.D. Chen, L.F. Bian, S.F. Song, C.C. Hsu,