کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367781 | 1388372 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE growth of SiGe with high Ge content for optical applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: MBE growth of SiGe with high Ge content for optical applications MBE growth of SiGe with high Ge content for optical applications](/preview/png/5367781.png)
چکیده انگلیسی
The molecular beam epitaxy is a powerful technology for integrating optoelectronic devices in standard Si microelectronics. The MBE growth of high speed germanium detectors is discussed. The necessary lattice accommodation between Si and Ge is realized by an ultra thin virtual substrate. Contact layers with very high doping concentration and very sharp transitions are grown with special doping strategies. As special growth method the differential epitaxy allows the growth of epitaxial layers in oxide windows.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6238-6241
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 19, 30 July 2008, Pages 6238-6241
نویسندگان
M. Oehme, J. Werner, O. Kirfel, E. Kasper,