کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367967 | 1388378 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure and hardness of a-C:H films prepared by middle frequency plasma chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ⶠThe effect of precursors of CH4 and C2H2 + H2 on the structure of a-C:H films is investigated. ⶠThe a-C:H films from CH4 precursor is DLCH, while for C2H2 + H2 precursors is PLCH. ⶠThese two types a-C:H films show also opposite evolution trends with bias voltage increasing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 10, 1 March 2011, Pages 4738-4742
Journal: Applied Surface Science - Volume 257, Issue 10, 1 March 2011, Pages 4738-4742
نویسندگان
Guangwei Guo, Guangze Tang, Yajun Wang, Xinxin Ma, Mingren Sun, Liqin Wang, Ken Yukimura,