کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368846 | 1388410 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3D-TOFSIMS characterization of black spots in polymer light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The occurrence and formation of black spots areas in PolyLED devices has been studied by time-of-flight SIMS (TOFSIMS). The composition, shape and position of the black spots is visualised by three-dimensional (3D)-TOFSIMS depth-profiling. It has been established that the formation of non-emissive spots is due to the growth of aluminium oxide clusters at the AlBa/polymer interface. Electron injection in the black spots is lost by the resulting local increase of the resistivity of the cathode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 19, 30 July 2006, Pages 6597-6600
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 19, 30 July 2006, Pages 6597-6600
نویسندگان
C.W.T. Bulle-Lieuwma, P. van de Weijer,