کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5368960 1388414 2009 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and scanning tunneling microscopy studies of the Si(1 1 1)-(√31 Ã— âˆš31)-In surface
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Fabrication and scanning tunneling microscopy studies of the Si(1 1 1)-(√31 Ã— âˆš31)-In surface
چکیده انگلیسی

We report on the fabrication of single phase of the Si(1 1 1)-(√31 × √31)-In reconstruction surface, observed by scanning tunneling microscopy (STM) at room temperature. By depositing specific amounts of indium atoms while heating the Si(1 1 1)-(7 × 7) substrate at a critical temperature, the single phase of Si(1 1 1)-(√31 × √31)-In surfaces could be routinely obtained over the whole surface with large domains. This procedure is certified by our high-resolution STM images in the range of 5-700 nm. Besides, the high resolution STM images of the Si(1 1 1)-(√31 × √31)-In surface were also presented.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1152-1155
نویسندگان
, , ,