کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368960 | 1388414 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and scanning tunneling microscopy studies of the Si(1 1 1)-(â31 Ã â31)-In surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the fabrication of single phase of the Si(1Â 1Â 1)-(â31Â ÃÂ â31)-In reconstruction surface, observed by scanning tunneling microscopy (STM) at room temperature. By depositing specific amounts of indium atoms while heating the Si(1Â 1Â 1)-(7Â ÃÂ 7) substrate at a critical temperature, the single phase of Si(1Â 1Â 1)-(â31Â ÃÂ â31)-In surfaces could be routinely obtained over the whole surface with large domains. This procedure is certified by our high-resolution STM images in the range of 5-700Â nm. Besides, the high resolution STM images of the Si(1Â 1Â 1)-(â31Â ÃÂ â31)-In surface were also presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1152-1155
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1152-1155
نویسندگان
Zheng Wei, Heechul Lim, Geunseop Lee,