کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368969 | 1388414 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modification by H-termination in growth process of titanium silicide on Si(0 0 1)-2 Ã 1 observed with scanning tunneling microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Formation processes of titanium silicide on hydrogen-terminated H/Si(0Â 0Â 1)-2Â ÃÂ 1 surface are studied at the atomic scale with a scanning tunneling microscopy (STM). Square-shaped nanoislands were observed on the Ti/H/Si(0Â 0Â 1) surface after annealed at 873-1073Â K. These are the epitaxial nanoislands moderately grown due to the local orientation relationship between C49-TiSi2 and Si(0Â 0Â 1), because passivation by surface hydrogen on Si(0Â 0Â 1) suppresses active and complex bond formation of Ti-Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1191-1195
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1191-1195
نویسندگان
T. Aoki, K. Shudo, K. Sato, S. Ohno, H. Nishioka, T. Iida, M. Toramaru, M. Tanaka,