کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368985 | 1388414 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of ZnTe buffer on the electrical properties of n-type GaSb:Te films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated on the molecular beam epitaxy (MBE) of Te-doped GaSb films on ZnTe buffer. Te-doped GaSb (GaSb:Te) films with and without ZnTe buffer were grown on (0Â 0Â 1) GaAs substrates. GaSb:Te/ZnTe/GaAs film revealed higher mobility (=631Â cm2/VÂ s) in comparison to GaSb:Te/GaAs film (=249Â cm2/VÂ s). To explain the higher mobility of GaSb:Te on ZnTe buffer, dislocation density and temperature dependence of Hall measurement results were analyzed. Temperature dependence of Hall measurement shows strong influence of the dislocation scattering, which indicates that dislocation reduction by the ZnTe buffer enhances the carrier mobility of GaSb films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1261-1264
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 4, 30 November 2009, Pages 1261-1264
نویسندگان
Siyoung Kim, Woong Lee, Mina Jung, Jiho Chang, Aung Khaing Nyi, Hongchan Lee, Joonsuk Song, Dongcheol Oh, Seunghwan Park, Takafumi Yao,