کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5369079 | 1388419 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of H2 dilution on a-CN:H films deposited by hot-wire chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Hydrogenated amorphous carbon nitride (a-CN:H) thin films were deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) using the gas mixture of CH4, NH3 and H2 precursor gases. The structural and electronic environments studies of H2 diluted a-CN:H films were carried out by Raman spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. The nitrogen content increases while the total carbon contents decreases with increase in H2 flow rate from 0Â sccm to 20Â sccm in the a-CN:H films. Moreover, the detail analysis of the carbon core orbital, valence band and hole states of a-CN:H were discussed with different H2 flow rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 22, 30 August 2009, Pages 9264-9267
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 22, 30 August 2009, Pages 9264-9267
نویسندگان
Bibhu P. Swain, Bhabani S. Swain, Nong M. Hwang,