کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5369228 | 1388425 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural modification of laser annealed a-Si1âxCx:H films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Hydrogenated amorphous silicon carbon films, with relatively low hydrogen content and carbon fraction x, C/(C + Si), ranging from 0.20 to 0.57 have been deposited by RF-plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) for excimer laser annealing experiments. After the laser treatments all the films show structural modifications. It has been obtained that with increasing x the crystallinity degree of the Si phase decreases, while that of the SiC phase increases and becomes predominant for x = 0.39. In the overstoichiometric samples only the c-SiC phase has been observed. In all the treated samples 3C-SiC crystallites have been detected.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 13, 30 April 2006, Pages 4493-4496
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 13, 30 April 2006, Pages 4493-4496
نویسندگان
U. Coscia, G. Ambrosone, C. Minarini, V. Parisi, S. Schutzmann, A. Tebano,