کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5369944 | 1388465 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanical properties of InAs/InP semiconductor alloys
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The microindentation studies have been reported for undoped and doped InAs/InP semiconductor alloys grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). It was found that the microhardness value increases with increase of applied load and attains a constant value for further increase in the load. The mechanical properties like, fracture toughness, brittleness index, fracture surface energy and indentation size effect coefficient were determined using the microhardness value. The indented samples were etched in H2SO4:H2O2:H2O of the ratio of (1:1:1) for 30Â s. This reveals the dislocation rosette patterns generated around the edges of the indentation on subsequent etching process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 5, 30 December 2006, Pages 2657-2661
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 5, 30 December 2006, Pages 2657-2661
نویسندگان
R. Navamathavan, D. Arivuoli, G. Attolini, C. Pelosi, Chi Kyu Choi,