کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370183 | 1388475 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure and properties of transparent conductive doped ZnO films by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High quality transparent conductive ZnO thin films were deposited on quartz glass substrates using pulsed laser deposition (PLD). We varied the growth conditions such as the substrate temperature and oxygen pressure. X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectrometer (XPS), and atomic force microscopy (AFM) measurements were done on the samples. All films show n-type conduction, the best transparent conductive oxide (TCO) performance (Al-doped ZnO = 1.33 Ã 10â4 Ω cm, Ga-doped ZnO = 8.12 Ã 10â5 Ω cm) was obtained on the ZnO film prepared at pO2 = 5 mTorr and Ts = 300 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 3, 30 November 2006, Pages 1522-1527
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 3, 30 November 2006, Pages 1522-1527
نویسندگان
Sang-Moo Park, Tomoaki Ikegami, Kenji Ebihara, Paik-Kyun Shin,