کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370215 | 1388479 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth process of β-FeSi2 epitaxial film on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have reported a one step growth of a high quality β-FeSi2 epitaxial film on hydrogen terminated Si(1 1 1) by using molecular beam epitaxy (MBE) without template layer or post-growth annealing. In the present work, the growth process was studied by analyzing X-ray diffraction (XRD) spectra, reflective high energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM) observations on the samples grown with different growth times from 10 s to 1 h. A phase transformation from γ-FeSi2 to β-FeSi2 was confirmed existing in the crystal film growth, as well as the growth mode changing from three-dimensional (3D) to two-dimensional (2D) mode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 2, 15 November 2006, Pages 444-448
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 2, 15 November 2006, Pages 444-448
نویسندگان
S.Y. Ji, J.F. Wang, J.-W. Lim, M. Isshiki,