کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370336 | 1388483 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1Â 0Â 0) nitridation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Correlation among chemical, electronic and electrical properties of the GaN/GaAs interface was discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 22, 15 September 2006, Pages 7890-7894
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 22, 15 September 2006, Pages 7890-7894
نویسندگان
Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Bachir Bouiadjra, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert, M. Miczek, B. Adamowicz,