کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370416 | 1388494 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphological characteristics of amorphous Ge2Sb2Te5 films after a single femtosecond laser pulse irradiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The morphology of materials resulting from laser irradiation of the single-layer and the multilayer amorphous Ge2Sb2Te5 films using 120Â fs pulses at 800Â nm was observed using scanning electron microscopy and atomic force microscopy. For the single-layer film, the center of the irradiated spot is depression and the border is protrusion, however, for the multilayer film, the center morphology changes from a depression to a protrusion as the increase of the energy. The crystallization threshold fluence of the single-layer and the multilayer film is 22 and 23Â mJ/cm2, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 12, 15 April 2006, Pages 4083-4090
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 12, 15 April 2006, Pages 4083-4090
نویسندگان
Guangjun Zhang, Donghong Gu, Xiongwei Jiang, Qingxi Chen, Fuxi Gan,