کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5373784 | 1504237 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio calculation on the low-lying excited states of Si2+ cation including spin-orbit coupling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ab initio calculation on the low-lying excited states of Si2+ cation including spin-orbit coupling Ab initio calculation on the low-lying excited states of Si2+ cation including spin-orbit coupling](/preview/png/5373784.png)
چکیده انگلیسی
- 24 Î-S states are correlated to the dissociation limit of Si(3Pg)Â +Â Si+(2Pu) are first reported.
- The dissociation energies of the calculated electronic states are predicted in our work.
- It is first time that the entire 54 Ω states generated from the 24 Î-S states have been studied.
- PECs of Î-S and Ω states are depicted with the aid of avoided crossing rule between the same symmetry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics - Volume 425, 8 November 2013, Pages 156-161
Journal: Chemical Physics - Volume 425, 8 November 2013, Pages 156-161
نویسندگان
Yanlei Liu, Hongsheng Zhai, Xiaomei Zhang, Yufang Liu,