کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5378537 | 1504843 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A DFT study on NEA GaN photocathode with an ultrathin n-type Si-doped GaN cap layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 663, 16 October 2016, Pages 90-96
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 663, 16 October 2016, Pages 90-96
نویسندگان
Sihao Xia, Lei Liu, Yike Kong, Yu Diao,