کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5378537 1504843 2016 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A DFT study on NEA GaN photocathode with an ultrathin n-type Si-doped GaN cap layer
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A DFT study on NEA GaN photocathode with an ultrathin n-type Si-doped GaN cap layer
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 663, 16 October 2016, Pages 90-96
نویسندگان
, , , ,