| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 5378977 | 1504853 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Memory and threshold resistive switching in BiFeO3 thin films using NiO as a buffer layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An improvement of memory resistive switching and threshold resistive switching in BiFeO3 films using NiO as a buffer layer.106
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 652, 16 May 2016, Pages 98-101
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 652, 16 May 2016, Pages 98-101
نویسندگان
Jinming Luo, Haining Zhang, Shuhan Chen, Xiaodong Yang, Shouliang Bu, Jianping Wen,