کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5379381 | 1504862 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Distribution of 28Si, 29Si and 30Si isotopes in subsurface layers of Si:B single crystals under plastic deformation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Deformation of Si-B single crystals results in broadening of 29Si and 28Si nuclei distribution in the surface and subsurface layers of the crystal. Dependences of 28Si, 29Si, 30Si concentration f on ionic etching depth x: left: in non-deformed Si-B single crystals (dislocation density â¼1 cmâ2) with isotope concentration 6.3% of 28Si, 69.3% of 29Si and 24.3% of 30Si; right: in Si-B single crystals, deformed by three-point bending during 1 h at 950 °C to â¼2 Ã 107 cmâ2 dislocation density determined by chemical etching.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 643, January 2016, Pages 39-42
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 643, January 2016, Pages 39-42
نویسندگان
O.V. Koplak, R.B. Morgunov,