کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5381352 | 1504908 | 2014 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bandgap opening in silicene: Effect of substrates
ترجمه فارسی عنوان
باز شدن نوار گسیل در سیلیسن: اثر زیره
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
- Several possible semiconducting substrates for silicene are investigated.
- The factor that controls the size of band gap in silicene/substrates is analyzed.
- The structures with SiH/Ï interaction have potential in field effect transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 592, 30 January 2014, Pages 222-226
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 592, 30 January 2014, Pages 222-226
نویسندگان
N. Gao, J.C. Li, Q. Jiang,