کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5381783 1504922 2013 22 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of substitutional group-1B impurities in β-Silicon carbide
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic structure of substitutional group-1B impurities in β-Silicon carbide
چکیده انگلیسی

- The substitutions with group-1B impurities present intermediate-band states in the band gap.
- Two effects could remove the partially-full intermediate-bands: a Jahn-Teller deformation or the self-interaction.
- These effects or a combination of them split the partially-full intermediate bands.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 578, 18 July 2013, Pages 59-65
نویسندگان
,