| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 5381783 | 1504922 | 2013 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of substitutional group-1B impurities in β-Silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- The substitutions with group-1B impurities present intermediate-band states in the band gap.
- Two effects could remove the partially-full intermediate-bands: a Jahn-Teller deformation or the self-interaction.
- These effects or a combination of them split the partially-full intermediate bands.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 578, 18 July 2013, Pages 59-65
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 578, 18 July 2013, Pages 59-65
نویسندگان
C. Tablero,