کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5381907 1504924 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lateral displacement in soft-landing process and electronic properties of size-selected Pt7 clusters on the aluminum oxide film on NiAl(1 1 0)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Lateral displacement in soft-landing process and electronic properties of size-selected Pt7 clusters on the aluminum oxide film on NiAl(1 1 0)
چکیده انگلیسی

- Soft-landed Pt7 clusters transiently migrate on the Al2O3/NiAl(1 1 0) surface.
- The mean lateral displacement by transient migration is estimated to be ∼8 nm.
- Pt7 clusters lay flat with a planar structure.
- Domain boundaries of the Al2O3 film are preferential adsorption sites.
- Pt7 clusters have discrete unoccupied states in the Al2O3 bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 576, 28 June 2013, Pages 49-54
نویسندگان
, , , ,