کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382397 | 1504948 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate-voltage-dependent Landau levels in AA-stacked bilayer graphene
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We study the Landau levels of bilayer graphene in gate voltages by the Peierls tight-binding model. ⺠The gate voltage strongly influences the Landau level spectra. ⺠There exist semiconductor-semimetal transitions at certain gate voltages. ⺠Some carriers are transferred between different layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 550, 22 October 2012, Pages 104-110
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 550, 22 October 2012, Pages 104-110
نویسندگان
Sing-Jyun Tsai, Yu-Huang Chiu, Yen-Hung Ho, Ming-Fa Lin,