کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382480 | 1504942 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Ferromagnetism (FM) of undoped 3C-SiC not changes with increasing Si: C. ⺠FM of V-doped 3C-SiC weakens with increasing Si: C. ⺠FM of 3C-SiC is related with vacancy concentration. ⺠Divacancies rather than carrier concentration plays dominating role in the FM.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 556, 29 January 2013, Pages 142-145
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 556, 29 January 2013, Pages 142-145
نویسندگان
Hui Wang, Chengfeng Yan, Haikuan Kong, Jianjun Chen, Jun Xin, Erwei Shi,