کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5382711 1504947 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Memory effect in organic transistor: Controllable shifts in threshold voltage
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Memory effect in organic transistor: Controllable shifts in threshold voltage
چکیده انگلیسی
► Nanoparticles were incorporated in organic transistors to investigate memory effect. ► A significant shift in threshold voltage under different applied voltages observed. ► The nanoparticles are acting as a carrier trapping center for the memory effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 551, 1 November 2012, Pages 105-110
نویسندگان
, , , , ,