کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382711 | 1504947 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Memory effect in organic transistor: Controllable shifts in threshold voltage
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Nanoparticles were incorporated in organic transistors to investigate memory effect. ⺠A significant shift in threshold voltage under different applied voltages observed. ⺠The nanoparticles are acting as a carrier trapping center for the memory effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 551, 1 November 2012, Pages 105-110
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 551, 1 November 2012, Pages 105-110
نویسندگان
Keanchuan Lee, Martin Weis, Dai Taguchi, Takaaki Manaka, Mitsumasa Iwamoto,