کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382714 | 1504947 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron localization morphology of the stacking faults in Mg: A first-principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Electron localization morphologies of growth, deformation, and extrinsic faults of hcp Mg. ⺠Redistribution range of charge density for each stacking fault. ⺠Interpretation of different stacking faults based on charge density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 551, 1 November 2012, Pages 121-125
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 551, 1 November 2012, Pages 121-125
نویسندگان
W.Y. Wang, S.L. Shang, Y. Wang, K.A. Darling, S.N. Mathaudhu, X.D. Hui, Z.K. Liu,