کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5382714 1504947 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron localization morphology of the stacking faults in Mg: A first-principles study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electron localization morphology of the stacking faults in Mg: A first-principles study
چکیده انگلیسی
► Electron localization morphologies of growth, deformation, and extrinsic faults of hcp Mg. ► Redistribution range of charge density for each stacking fault. ► Interpretation of different stacking faults based on charge density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 551, 1 November 2012, Pages 121-125
نویسندگان
, , , , , , ,