کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382905 | 1504956 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Upright-standing SnO2 nanowalls: Fabrication, dual-photosensitization and photovoltaic properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Upright-standing SnO2 nanowalls aligned on FTO were grown by wet chemical method. ⺠Dual-photosensitization of SnO2 nanowalls with CdS quantum dots and Z907 dye. ⺠DSSCs utilizing CdS interlayer show 158% improvement in power conversion efficiency. ⺠CdS quantum dot layer minimizes charge recombination and improves light absorption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 542, 23 July 2012, Pages 66-69
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 542, 23 July 2012, Pages 66-69
نویسندگان
Dipak V. Shinde, Iseul Lim, Chang Sam Kim, Joong Kee Lee, Rajaram S. Mane, Sung-Hwan Han,