کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5382905 1504956 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Upright-standing SnO2 nanowalls: Fabrication, dual-photosensitization and photovoltaic properties
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Upright-standing SnO2 nanowalls: Fabrication, dual-photosensitization and photovoltaic properties
چکیده انگلیسی
► Upright-standing SnO2 nanowalls aligned on FTO were grown by wet chemical method. ► Dual-photosensitization of SnO2 nanowalls with CdS quantum dots and Z907 dye. ► DSSCs utilizing CdS interlayer show 158% improvement in power conversion efficiency. ► CdS quantum dot layer minimizes charge recombination and improves light absorption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 542, 23 July 2012, Pages 66-69
نویسندگان
, , , , , ,