کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382909 | 1504956 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement of electromigration reliability and diffusion of Cu films using coherent Cu(1Â 1Â 1)/Cr2O3(0Â 0Â 0Â 1) interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Cu/Cr2O3 with O-terminated interface is more stable than that with Cr-terminated one. ⺠The Cu-O interfaces are much stronger than the back Cu-Cu interlayers. ⺠Cr2O3(0 0 0 1) films greatly enhance the bonding strength at the interfaces. ⺠Cu atoms can hardly diffuse into the Cr vacancies. ⺠Cr2O3(0 0 0 1) films inhibit the diffusion of Cu atoms into the barrier layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 542, 23 July 2012, Pages 85-88
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 542, 23 July 2012, Pages 85-88
نویسندگان
M.X. Xiao, M. Zhao, X.Y. Lang, Y.F. Zhu, Q. Jiang,