کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5382948 | 1504952 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High electric field enhancement near electron-doped semiconductor nanoribbons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We model the field enhancement near electron-doped semiconductor nanoribbons. ⺠Enhancement can reach 104 in the infrared and visible range. ⺠Enhancement increases with the increasing effective mass of conducting electrons. ⺠Enhancement decreases with the increasing background dielectric constant. ⺠Enhancement decreases with an increasing plasmon wavenumber.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 546, 12 September 2012, Pages 99-105
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 546, 12 September 2012, Pages 99-105
نویسندگان
Ke Zhao, Somnath Bhowmick, Hoonkyung Lee, Boris I. Yakobson,