کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5383667 1504984 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A theoretical study of SiCN and SiNC in the X˜2Π electronic state based on global potential energy surfaces
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A theoretical study of SiCN and SiNC in the X˜2Π electronic state based on global potential energy surfaces
چکیده انگلیسی
► We determine global potential energy surfaces of SiCN in the ground state. ► We assign vibrational wave functions computed up to 360 levels for the ground state. ► The Renner parameters are evaluated for linear SiCN and SiNC. ► The Renner-Teller effect on the vibronic energy is negligible for the J = 1 states. ► The spin-orbit effects are negligible in the vibrational levels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 514, Issues 4–6, 6 October 2011, Pages 239-243
نویسندگان
, ,