کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5383769 | 1504987 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles study on absolute band edge positions for II-VI semiconductors at (1Â 1Â 0) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The band edges were calculated for the (1 1 0) surface of II-VI semiconductors. ⺠The thickness of the slab in the (1 1 0) surface affects significantly the band edges. ⺠ECBM declines as the number of atomic layers increases. ⺠EVBM remains almost unchanged as the number of atomic layers increases. ⺠The variation trend of Eg with the slab thickness is consistent with that of ECBM.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 513, Issues 1â3, 6 September 2011, Pages 72-76
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 513, Issues 1â3, 6 September 2011, Pages 72-76
نویسندگان
Zhaohui Zhou, Jinwen Shi, Po Wu, Mingtao Li, Liejin Guo,