کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5384580 | 1505005 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Short-circuit diffusion growth of long bi-crystal CuO nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Dense, vertically-aligned arrays of ultra-long CuO nanowires (NWs) were grown. ⺠Surface mechanical attrition treatment of Cu facilitated the CuO NW growth. ⺠A bi-crystal structure along the entire length of the NW was observed. ⺠Evidence of a short-circuit, grain boundary diffusion mechanism was revealed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 504, Issues 1â3, 28 February 2011, Pages 41-45
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 504, Issues 1â3, 28 February 2011, Pages 41-45
نویسندگان
Benjamin J. Hansen, Hoi-lam (Iris) Chan, Jian Lu, Ganhua Lu, Junhong Chen,